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IRF3305PBF +BOM

Component Type: Power MOSFET

IRF3305PBF Allgemeine Beschreibung

The IRF3305PBF power MOSFET transistor is a versatile component that offers high performance and reliability for a variety of switching applications. With a drain-source voltage rating of 55V and a continuous drain current rating of 75A, this transistor can handle high power levels efficiently. Its low on-resistance of 9.5mΩ ensures minimal power loss during operation, making it an ideal choice for applications where energy efficiency is a priority

Spezifikationen

Source Content uid IRF3305PBF Part Life Cycle Code Obsolete
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED Avalanche Energy Rating (Eas) 860 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 55 V Drain Current-Max (ID) 75 A
Drain-source On Resistance-Max 0.008 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 330 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 560 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

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