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IRF3707ZPBF +BOM

N-Channel MOSFET Transistor IRF3707ZPBF

IRF3707ZPBF Allgemeine Beschreibung

In summary, the IRF3707ZPBF power MOSFET transistor offers impressive performance and features that make it an ideal choice for demanding applications where efficient power switching, high reliability, and ruggedness are essential. Its low on-resistance, low gate charge, and built-in protection mechanisms contribute to its efficient and safe operation, while its TO-220 package allows for convenient installation and improved thermal performance. With these attributes, the IRF3707ZPBF is a reliable and versatile component for various power management and control applications

Spezifikationen

Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
Avalanche Energy Rating (Eas) 40 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 42 A Drain-source On Resistance-Max 0.0095 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 130 pF
JEDEC-95 Code TO-220AB JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 57 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 230 A
Surface Mount NO Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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