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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRF3710S +BOM

Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IRF3710S
Datenblatt:

IRF3710S Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRF3710S

IRF3710S Allgemeine Beschreibung

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Spezifikationen

Pbfree Code	No	Part Life Cycle Code	Transferred
Pin Count	3	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Additional Feature	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas)	280 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	57 A	Drain-source On Resistance-Max	0.023 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-263AB
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e0
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	225
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	150 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	180 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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