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Siehe Technische Spezifikationen

IRF530 +BOM

High-power N-channel MOSFET transistor suitable for DC motor control and power amplifier applications

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

IRF530
Datenblatt:

IRF530 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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IRF530 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 14A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	14 A	Rds On - Drain-Source Resistance	160 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	79 W
Channel Mode	Enhancement	Series	IRF530
Configuration	Single	Fall Time	25 ns
Height	16.3 mm	Length	10.67 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	35 ns
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	25 ns	Typical Turn-On Delay Time	12 ns
Width	4.7 mm	Unit Weight	0.068784 oz

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