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Siehe Technische Spezifikationen

IRF5810 +BOM

IRF5810 is a small signal P-Channel silicon FET with a 2-Element design capable of handling 2.9A current and operating at 20V

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IRF5810
Datenblatt:

IRF5810 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Configuration:

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRF5810

IRF5810 Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP

Spezifikationen

Source Content uid	IRF5810	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	20 V
Drain Current-Max (ID)	2.9 A	Drain-source On Resistance-Max	0.09 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	MO-193AA
JESD-30 Code	R-PDSO-G6	JESD-609 Code	e0
Moisture Sensitivity Level	2	Number of Elements	2
Number of Terminals	6	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	0.96 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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