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Siehe Technische Spezifikationen

IRF5M5210 +BOM

100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IRF5M5210
Datenblatt:

IRF5M5210 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRF5M5210

IRF5M5210 Allgemeine Beschreibung

The IRF5M5210 is a single-element transistor with P-Channel polarity, making it suitable for use in various switching and amplification circuits. Its Silicon construction offers superior performance and durability compared to traditional components, while the Metal-oxide Semiconductor FET technology provides fast switching speeds and low gate drive requirements

Hauptmerkmale

Low RDS(on) Avalanche Energy Ratings Dynamic dv/dt Rating Simple Drive Requirements Ease of Paralleling Hermetically Sealed Light Weight

Spezifikationen

Pbfree Code	No	Part Life Cycle Code	Transferred
Pin Count	3	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Additional Feature	AVALANCHE ENERGY RATED
Avalanche Energy Rating (Eas)	520 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	34 A
Drain-source On Resistance-Max	0.07 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-254AA	JESD-30 Code	S-MSFM-P3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	136 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	PIN/PEG
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
ID max	-34.0 A	Polarity	P
VBRDSS min	-100.0 V	RDS (on) max	70.0 mΩ
Language	SPICE	Download Model	https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_IRF5M5210-SimulationModels-v01_01-EN.spi?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f4e685350de2
Product Category	High reliability power MOSFETs

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