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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRF6215PBF +BOM

TO-220AB-3 IRF6215PBF MOSFETs ROHS

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IRF6215PBF
Datenblatt:

IRF6215PBF Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Additional Feature:

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRF6215PBF

IRF6215PBF Allgemeine Beschreibung

One of the standout features of the IRF6215PBF is its dynamic dv/dt rating, which allows for fast and smooth switching operations. This means that you can count on this MOSFET to respond quickly to changes in voltage, making it ideal for applications where speed is of the essence. Additionally, the fully avalanche rated design ensures that the IRF6215PBF can handle high levels of electrical stress without breaking a sweat

Hauptmerkmale

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Source Content uid	IRF6215PBF	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Additional Feature	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	Avalanche Energy Rating (Eas)	310 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	150 V	Drain Current-Max (ID)	13 A
Drain-source On Resistance-Max	0.29 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	83 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	44 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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