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Siehe Technische Spezifikationen

IRF6218SPBF +BOM

IRF6218SPBF is a surface-mount P-channel MOSFET designed for high-power applications

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IRF6218SPBF
Datenblatt:

IRF6218SPBF Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

210 mJ
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRF6218SPBF

IRF6218SPBF Allgemeine Beschreibung

Featuring a single element construction, the IRF6218SPBF offers reliable performance in various industrial and automotive applications. The silicon-based Metal-oxide Semiconductor FET technology provides excellent switching characteristics and ensures high efficiency in power conversion circuits. The TO-263AB package with its compact size and easy mounting options makes it suitable for space-constrained designs

Spezifikationen

Source Content uid	IRF6218SPBF	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	210 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	150 V
Drain Current-Max (ID)	27 A	Drain-source On Resistance-Max	0.15 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-263AB
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	250 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	110 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN OVER NICKEL
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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