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IRF640B +BOM

200V - 0.15Ω - 18A TO-220/TO-220FP, 200V N-Channel MOSFET

Hauptmerkmale

  • 18A, 200V, RDS(on)= 0.18Ω@VGS= 10 V
  • Low gate charge ( typical 45 nC)
  • Low Crss ( typical 45 pF)
  • Fast switching
  • 100% avalanche tested
  • Improved dv/dt capability

Spezifikationen

Source Content uid IRF640B Part Life Cycle Code Obsolete
Pin Count 3 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Avalanche Energy Rating (Eas) 250 mJ
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 200 V
Drain Current-Max (ID) 18 A Drain-source On Resistance-Max 0.18 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3 JESD-609 Code e0
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 139 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 72 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

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