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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRF9358TRPBF +BOM

Two-Element Power Field-Effect Transistor with P-Channel Silicon Technology

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IRF9358TRPBF
Datenblatt:

IRF9358TRPBF Datenblatt (PDF)
FunctionalPacking:

TAPE & REEL
AddProductInfo:

Trench Mosfet - SO-8
Msl:

1
HalogenFree:

yes
EDA/CAD Modelle:

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IRF9358TRPBF Allgemeine Beschreibung

The IRF9358TRPBF is a dual P-channel transistor designed for use in applications requiring high power efficiency and low on resistance. With a drain source voltage of -30V and a continuous drain current of -9.2A, this transistor is capable of handling high power loads with ease. The on resistance of 0.013ohm at a test voltage of -10V ensures minimal power loss and efficient operation. The SOIC-8 package provides a compact and convenient form factor for easy integration into a variety of circuit designs

Hauptmerkmale

Power quality improvement
Fault-tolerant design enabled
Advanced thermal sensing
Safe and reliable operation guaranteed

Anwendung

Power vehicles with ease
Manage voltage fluctuations
Control motors accurately

Spezifikationen

functionalPacking	TAPE & REEL	addProductInfo	Trench Mosfet - SO-8
msl	1	halogenFree	yes
customerInfo	STANDARD	fgr	A6D
productClassification	COM	productStatusInfo	active and preferred
hfgr	A	pbFree	yes
moistureProtPack	NON DRY	orderingCode	SP001575404
opn	IRF9358TRPBF	completelyPbFree	yes
sapMatnrSali	SP001575404

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