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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRF7341 +BOM

Robust SOIC packaged device for high-performance switching circuit

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IRF7341
Datenblatt:

IRF7341 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

8
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRF7341

IRF7341 Allgemeine Beschreibung

N-channel MOSFET,IRF7341 4.7A 55V

Hauptmerkmale

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Transferred	Pin Count	8
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Additional Feature	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE	Avalanche Energy Rating (Eas)	140 mJ
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	55 V
Drain Current-Max (ID)	5.1 A	Drain-source On Resistance-Max	0.05 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	MS-012AA
JESD-30 Code	R-PDSO-G8	JESD-609 Code	e0
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	2
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	2 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	42 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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