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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRF820 +BOM

High-power MOSFET for demanding applications

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

IRF820
Datenblatt:

IRF820 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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IRF820 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 500 V 2.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Id - Continuous Drain Current	2.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	3 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	4 W
Channel Mode	Enhancement	Series	IRF820
Configuration	Single	Fall Time	60 ns
Height	16.3 mm	Length	10.67 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	50 ns
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	60 ns	Typical Turn-On Delay Time	40 ns
Width	4.7 mm	Unit Weight	0.068784 oz

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