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Siehe Technische Spezifikationen

IRFB5615PBF +BOM

N-Channel 150 V 35A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IRFB5615PBF
Datenblatt:

IRFB5615PBF Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

65 Weeks
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRFB5615PBF

IRFB5615PBF Allgemeine Beschreibung

The IRFB5615PBF power MOSFET from International Rectifier is a powerhouse in the world of high power applications. With a drain-source voltage rating of 150 volts and a continuous drain current of 31 amperes, it offers the strength and versatility needed for demanding tasks such as power supplies, motor control, and DC-DC converters. Its low on-resistance of 0.038 ohms minimizes power losses, while its fast switching speed enhances overall system performance

Hauptmerkmale

Suitable for DC-DC converters
High-frequency operation enabled
Rapid on-state capability

Anwendung

Robotics technology
Electric vehicle charging
Uninterruptible power supply

Spezifikationen

Source Content uid	IRFB5615PBF	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	65 Weeks	Avalanche Energy Rating (Eas)	109 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	150 V	Drain Current-Max (ID)	35 A
Drain-source On Resistance-Max	0.039 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	144 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	140 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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