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Siehe Technische Spezifikationen

IRFF131 +BOM

8A, 80V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

Hersteller:

International Rectifier
Herstellerteil #:

IRFF131
Datenblatt:

IRFF131 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Configuration:

SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min:

80 V
Drain Current-Max (ID):

8 A
EDA/CAD Modelle:

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IRFF131 Allgemeine Beschreibung

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors7.0A and 8.0A, 60V-100V rDS(on) = 0.18 Ω and 0.25 Ω

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code
Configuration	SINGLE	DS Breakdown Voltage-Min	80 V
Drain Current-Max (ID)	8 A	Drain-source On Resistance-Max	0.18 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-205AF
JESD-30 Code	O-MBCY-W3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	32 A
Qualification Status	COMMERCIAL	Surface Mount	NO
Terminal Form	WIRE	Terminal Position	BOTTOM
Transistor Element Material	SILICON	Product Category	MOSFET
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	80 V	Id - Continuous Drain Current	32 A
Rds On - Drain-Source Resistance	180 mOhms	Pd - Power Dissipation	25 W
Tradename	StrongIRFET	Height	4.54 mm
Length	8.3 mm	Product Type	MOSFET
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Width	8.3 mm	Unit Weight	0.229281 oz

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