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IRFR120 +BOM

N-Channel 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DPAK

IRFR120 Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

Hauptmerkmale

  • Surge rated for inductive loads
  • Overcurrent shutdown protection
  • Undervoltage lockout
  • Overtemperature warning

Spezifikationen

Part Life Cycle Code Transferred Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 HTS Code 8541.29.00.95
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 100 V Drain Current-Max (ID) 7.7 A
Drain-source On Resistance-Max 0.27 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-252AA JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e0 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 240 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 42 W Power Dissipation-Max (Abs) 42 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 34 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

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