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Siehe Technische Spezifikationen

IRFS4227PBF +BOM

Field-Effect Transistor with a Power Rating of 62 Amperes and a Drain-Source Voltage of 200 Volts, featuring a Drain-Source On-Resistance of 0

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IRFS4227PBF
Datenblatt:

IRFS4227PBF Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

140 mJ
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRFS4227PBF

IRFS4227PBF Allgemeine Beschreibung

N-Channel 200 V 62A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK

Hauptmerkmale

Advanced Process Technology
Key Parameters Optimized for PDP Sustain,
Energy Recovery and Pass Switch Applications
Low EPULSE Rating to Reduce Power
Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery

Spezifikationen

Source Content uid	IRFS4227PBF	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	140 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE	DS Breakdown Voltage-Min	200 V
Drain Current-Max (ID)	62 A	Drain-source On Resistance-Max	0.026 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	330 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	260 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN OVER NICKEL	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

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