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IGBT, IRG4PC50W 55A TO247
TO-247-3Hersteller:
Infineon
Herstellerteil #:
IRG4PC50WPBF
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
600 V
EDA/CAD Modelle:
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Infineon's IRG4PC50WPBF IGBT boasts a compact and lightweight design, featuring a TO-247 package type for easy mounting and connection. Its high short circuit withstand time of 10µs makes it a top choice for applications where short circuit protection is essential. Moreover, the device's wide operating temperature range of -55°C to 150°C and high di/dt capability enable its use in diverse environmental conditions and high-frequency switching scenarios
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.3 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 55 A |
Pd - Power Dissipation | 200 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Height | 20.7 mm | Length | 15.87 mm |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 400 |
Subcategory | IGBTs | Width | 5.31 mm |
Unit Weight | 1.340411 oz |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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