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Siehe Technische Spezifikationen

IRL3502S +BOM

140W Power Dissipation

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IRL3502S
Datenblatt:

IRL3502S Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

110A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

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IRL3502S Allgemeine Beschreibung

The IRL3502S power MOSFET is a top-of-the-line component, perfectly suited for high-performance applications that demand optimal efficiency and reliability. With a maximum drain-source voltage of 20V and a continuous drain current of 120A, this N-channel MOSFET is designed to handle high current loads with ease. Its low on-state resistance of 6.5 mOhm ensures minimal power dissipation, making it an ideal choice for a variety of applications including motor control, power supplies, and DC-DC converters

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 7V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 64A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA (Min)	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±10V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4700 pF @ 15 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	140W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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