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Siehe Technische Spezifikationen

IRLB4030PBF +BOM

100V N-channel MOSFET, IRLB4030PBF, features a low on-resistance of 4.3mOhm and TO-220-3 package

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IRLB4030PBF
Datenblatt:

IRLB4030PBF Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

52 Weeks
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRLB4030PBF

IRLB4030PBF Allgemeine Beschreibung

The IRLB4030PBF MOSFET is a high-performing component tailored for power switching applications that require precision and proficiency. Its robust design features a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 195A, striking a perfect balance between power and efficiency. With a low on-resistance of 1.4mΩ at a gate-source voltage of 10V, this transistor ensures minimal power loss and heat dissipation, contributing to overall system effectiveness

Spezifikationen

Source Content uid	IRLB4030PBF	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	52 Weeks	Application	SWITCHING
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Element Material	SILICON

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