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Siehe Technische Spezifikationen

IRLR9343TRPBF +BOM

343TRPBF, MOSFET 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC":

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IRLR9343TRPBF
Datenblatt:

IRLR9343TRPBF Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

52 Weeks
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRLR9343TRPBF

IRLR9343TRPBF Allgemeine Beschreibung

Upgrade your electronic devices with the IRLR9343TRPBF Power Field-Effect Transistor and experience improved power delivery and performance. This high-quality transistor is designed for a current rating of 20A and a voltage rating of 55V, making it suitable for a wide range of applications. The P-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET offers a low on-resistance of 0.105ohm, ensuring efficient power transmission. The TO-252AA package is lead-free and made of durable plastic, providing long-lasting reliability for your electronic projects

Hauptmerkmale

- Enhancement-mode
- Single-channel
- P-channel MOSFET
- Silicon technology
- Drain-source breakdown voltage of -20 V
- Gate-source voltage of 20 V
- Drain current of -20 A
- Fall-time of 9.5 ns
- Typical turn-off delay time of 21 ns
- Maximum operating temperature of +175 C

Spezifikationen

Source Content uid	IRLR9343TRPBF	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	52 Weeks	Avalanche Energy Rating (Eas)	120 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	55 V	Drain Current-Max (ID)	20 A
Drain-source On Resistance-Max	0.105 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-252AA	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	60 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN OVER NICKEL	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	AMPLIFIER	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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