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Siehe Technische Spezifikationen

IXA70I1200NA +BOM

IGBT Module PT Single 1200 V 100 A 350 W Chassis, Stud Mount SOT-227B

Hersteller:

Littelfuse Inc
Herstellerteil #:

IXA70I1200NA
Datenblatt:

IXA70I1200NA Datenblatt (PDF)
Product:

IGBT Silicon Modules
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:

1.8 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXA70I1200NA

IXA70I1200NA Allgemeine Beschreibung

IGBT Module PT Single 1200 V 100 A 350 W Chassis, Stud Mount SOT-227B

Hauptmerkmale

Optimized for 20kHz-60kHz switching
Square RBSOA
Short circuit capability
Avalanche rated
Ultra-fast anti-parallel diodes
International standard packages
Advantages:
Hard-switching capability
High power density
Low gate drive requirements

Anwendung

Battery chargers
E-Bikes
Lamp ballasts
Power inverters
Power Factor Correction (PFC) circuits
Switched-mode power supplies
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
Welding machines

Spezifikationen

Product Category:	IGBT Modules	Product:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.8 V	Continuous Collector Current at 25 C:	100 A
Gate-Emitter Leakage Current:	500 nA	Pd - Power Dissipation:	350 W
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Packaging:	Tube	Maximum Gate Emitter Voltage:	20 V
Mounting Style:	SMD/SMT	Product Type:	IGBT Modules
Series:	IXA70I1200NA	Factory Pack Quantity:	10
Subcategory:	IGBTs	Technology:	Si
Tradename:	XPT	Unit Weight:	1.058219 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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