Bezahlverfahren
IXXX160N65B4 +BOM
Advanced TRENCH IGBT GENX4 XPT Transistors
PLUS247-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
IXXX160N65B4
-
Datenblatt:
-
Series:
GenX4™, XPT™
-
IGBT Type:
PT
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
650 V
-
Current - Collector (Ic) (Max):
310 A
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Verfügbarkeit: 7023 Stck
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IXXX160N65B4 Allgemeine Beschreibung
When it comes to state-of-the-art power electronics, the IXXX160N65B4 stands out as a top performer in the industry. Developed using proprietary XPT™ thin-wafer technology and cutting-edge Trench IGBT process, this device offers unmatched performance with reduced thermal resistance, low energy losses, and fast switching speeds. With a 10µs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA) and square Reverse Bias Safe Operating Areas (RBSOA), this IGBT ensures exceptional reliability and efficiency in challenging conditions. The 650V breakdown voltage and low gate charges further highlight the versatility and reliability of this product, making it the ideal choice for a wide range of demanding applications
Hauptmerkmale
- This MOSFET has a high maximum package temperature of 150°C.
- IXXX160N65B4 supports surge current up to 200A without damage.
Anwendung
- Industrial motor controls
- Premium welding equipment
- High-speed motor drives
Spezifikationen
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs | Series | GenX4™, XPT™ |
IGBT Type | PT | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 310 A | Current - Collector Pulsed (Icm) | 860 A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 160A | Power - Max | 940 W |
Switching Energy | 3.3mJ (on), 1.88mJ (off) | Input Type | Standard |
Gate Charge | 425 nC | Td (on/off) @ 25°C | 52ns/220ns |
Test Condition | 400V, 80A, 1Ohm, 15V | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | IXXX160 |
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I got it. i did not check it. i'm sure it works.