Bezahlverfahren
IXGR6N170A +BOM
High-quality IGBT module for reliable and high-performance applications
ISOPLUS247-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
IXGR6N170A
-
Datenblatt:
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
1700 V
-
Current - Collector (Ic) (Max):
5.5 A
-
Current - Collector Pulsed (Icm):
18 A
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
7V @ 15V, 3A
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Verfügbarkeit: 7097 Stck
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IXGR6N170A Allgemeine Beschreibung
IGBT 1700 V 5.5 A 50 W Through Hole ISOPLUS247™
Hauptmerkmale
- High blocking voltage
- High power density
- High current handling capability
- Low conduction losses
- MOS gate turn on for drive simplicity
- International standard and proprietary ISOPLUSTM packages
- Benefits:
- Eliminates multiple series-parallel lower voltage, lower current rateddevices
- Simpler system design
- Improved reliability
- Reduced component count
- Reduced system cost
Anwendung
- Radar transmitter power supplies
- Radar pulse modulators
- Capacitor discharge circuits
- High voltage power supplies
- AC switches
- HV circuit breakers
- Pulser circuits
- High voltage test equipment
- Laser & X-ray generators
Spezifikationen
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs | Series | - |
IGBT Type | - | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 5.5 A | Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 7V @ 15V, 3A | Power - Max | 50 W |
Switching Energy | 590µJ (on), 180µJ (off) | Input Type | Standard |
Gate Charge | 18.5 nC | Td (on/off) @ 25°C | 46ns/220ns |
Test Condition | 850V, 6A, 33Ohm, 15V | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | IXGR6N170 |
Product Category | IGBT Modules | Product | IGBT Silicon Modules |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.7 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 7 V | Continuous Collector Current at 25 C | 5.5 A |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | Pd - Power Dissipation | 50 W |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V | Mounting Style | Through Hole |
Product Type | IGBT Modules | Factory Pack Quantity | 30 |
Subcategory | IGBTs | Technology | Si |
Unit Weight | 0.211644 oz |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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