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IXGR6N170A +BOM

High-quality IGBT module for reliable and high-performance applications

  • Hersteller:

    Littelfuse Inc

  • Herstellerteil #:

    IXGR6N170A

  • Datenblatt:

    IXGR6N170A Datenblatt (PDF) pdf-icon

  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

    1700 V

  • Current - Collector (Ic) (Max):

    5.5 A

  • Current - Collector Pulsed (Icm):

    18 A

  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:

    7V @ 15V, 3A

IXGR6N170A Allgemeine Beschreibung

IGBT 1700 V 5.5 A 50 W Through Hole ISOPLUS247™

Littelfuse Inc Inventar

Hauptmerkmale

  • High blocking voltage
  • High power density
  • High current handling capability
  • Low conduction losses
  • MOS gate turn on for drive simplicity
  • International standard and proprietary ISOPLUSTM packages
  • Benefits:
  • Eliminates multiple series-parallel lower voltage, lower current rateddevices
  • Simpler system design
  • Improved reliability
  • Reduced component count
  • Reduced system cost

Anwendung

  • Radar transmitter power supplies
  • Radar pulse modulators
  • Capacitor discharge circuits
  • High voltage power supplies
  • AC switches
  • HV circuit breakers
  • Pulser circuits
  • High voltage test equipment
  • Laser & X-ray generators

Spezifikationen

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs Series -
IGBT Type - Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max) 5.5 A Current - Collector Pulsed (Icm) 18 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 7V @ 15V, 3A Power - Max 50 W
Switching Energy 590µJ (on), 180µJ (off) Input Type Standard
Gate Charge 18.5 nC Td (on/off) @ 25°C 46ns/220ns
Test Condition 850V, 6A, 33Ohm, 15V Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Base Product Number IXGR6N170
Product Category IGBT Modules Product IGBT Silicon Modules
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.7 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage 7 V Continuous Collector Current at 25 C 5.5 A
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA Pd - Power Dissipation 50 W
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V Mounting Style Through Hole
Product Type IGBT Modules Factory Pack Quantity 30
Subcategory IGBTs Technology Si
Unit Weight 0.211644 oz

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