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Siehe Technische Spezifikationen

IXBF42N300 +BOM

IGBT 3000 V 60 A 240 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

Hersteller:

Littelfuse Inc
Herstellerteil #:

IXBF42N300
Datenblatt:

IXBF42N300 Datenblatt (PDF)
Feature-military:

No
Feature-aec-qualified:

No
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXBF42N300

IXBF42N300 Allgemeine Beschreibung

One key feature of BiMOSFETs is their inherent intrinsic body diode, which functions as a protective barrier during device operation. This diode acts as a safeguard, providing an alternate pathway for inductive load current during device turn-off. By doing so, it effectively prevents high Ldi/dt voltage transients from causing damage to the device. This added layer of protection ensures the longevity and durability of the BiMOSFETs, making them a reliable choice for various applications

Hauptmerkmale

Simplified PCB design
High current handling
Easier thermal management

Anwendung

Flexible capacitor circuits
Pulsed laser applications
Switching power supplies

Spezifikationen

feature-packaging		feature-rad-hard
feature-pin-count		feature-cecc-qualified
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-eccn-code		feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold

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