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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IXBN42N170A +BOM

IGBT Module Single 1700 V 42 A 312 W Chassis Mount SOT-227B

Hersteller:

Littelfuse Inc
Herstellerteil #:

IXBN42N170A
Datenblatt:

IXBN42N170A Datenblatt (PDF)
Feature-pin-count:

4
Feature-cecc-qualified:

No
Feature-military:

No
Feature-aec-qualified:

No
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXBN42N170A

IXBN42N170A Allgemeine Beschreibung

BiMOSFETs are devices, which have combined strengths of MOSFETs and IGBTs. Non-epitaxial construction and new fabrication processes were used in making BiMOSFETs a great success.These high voltage devices are ideal for parallel operation due to the positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage, and the forward voltage drop of its intrinsic diode. Furthermore, this “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

Hauptmerkmale

High blocking voltage
High power density
High current handling capability
Low conduction losses
MOS gate turn on for drive simplicity
International standard and proprietary ISOPLUS
TM
packages
Benefits:
Eliminates multiple series-parallel lower voltage, lower current rated
devices
Simpler system design
Improved reliability
Reduced component count
Reduced system cost

Anwendung

Radar transmitter power supplies
Radar pulse modulators
Capacitor discharge circuits
High voltage power supplies
AC switches
HV circuit breakers
Pulser circuits
High voltage test equipment
Laser & X-ray generators

Spezifikationen

feature-packaging		feature-rad-hard
feature-pin-count	4	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-eccn-code		feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold

Servicerichtlinien und andere

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