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Siehe Technische Spezifikationen

IXGH24N170 +BOM

IGBT Transistors 50 Amps 1700V 3.3 V Rds

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXGH24N170
Datenblatt:

IXGH24N170 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.7 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXGH24N170

IXGH24N170 Allgemeine Beschreibung

IGBT NPT 1700 V 50 A 250 W Through Hole TO-247AD

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.7 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	3.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	50 A
Pd - Power Dissipation	250 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	IXGH24N170
Continuous Collector Current	50 A	Continuous Collector Current Ic Max	150 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Height	21.46 mm
Length	16.26 mm	Operating Temperature Range	- 55 C to + 150 C
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	IGBTs	Width	5.3 mm
Unit Weight	0.229281 oz

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