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Siehe Technische Spezifikationen

IXGH48N60C3 +BOM

48 Amps IGBT transistor with 600V rating

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXGH48N60C3
Datenblatt:

IXGH48N60C3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXGH48N60C3

IXGH48N60C3 Allgemeine Beschreibung

With their combination of high switching speeds and low conduction losses, the GenX3™ IGBTs offer a new viable option for designers seeking to enhance the performance of their power conversion systems. These UIS rated devices are built to withstand rigorous operating conditions, providing a level of robustness and durability that sets them apart from other IGBTs in the market. The advanced PT technology used in the 1200V GenX3™ IGBTs further enhances their performance, offering lower saturation voltages, reduced switching losses, and higher surge current capabilities to meet the demanding requirements of high voltage applications

Hauptmerkmale

Durable construction
Efficient heat dissipation
Simplified design options

Anwendung

Compact DC choppers
Efficient induction heating
Reliable solar inverters

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	75 A
Pd - Power Dissipation	300 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	IXGH48N60
Continuous Collector Current	75 A	Continuous Collector Current Ic Max	250 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Height	21.46 mm
Length	16.26 mm	Operating Temperature Range	- 55 C to + 150 C
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	IGBTs	Tradename	GenX3
Width	5.3 mm	Unit Weight	0.229281 oz

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