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IXGK120N60B is a Trans IGBT Chip rated for N-CH operation at 600V and 200A with a power dissipation of 660mW
TO-264-3Hersteller:
Herstellerteil #:
IXGK120N60B
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
600 V
EDA/CAD Modelle:
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Product IXGK120N60B, part of the GenX3™ IGBT family, offers power designers cutting-edge technology and performance for high voltage power conversion applications. The 300V variant provides efficient switching capabilities up to 150 kHz, suitable for a wide range of current requirements from 42A to 120A. With low conduction losses and high switching speeds, this IGBT delivers exceptional value for switching applications
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.1 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | IXGK120N60 |
Continuous Collector Current | 200 A | Continuous Collector Current Ic Max | 200 A |
Height | 26.16 mm | Length | 19.96 mm |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 25 |
Subcategory | IGBTs | Width | 5.13 mm |
Unit Weight | 0.352740 oz |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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1008+ $64,028
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