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IXGK35N120BD1 +BOM

IGBT 1200 V 70 A 350 W Through Hole TO-264 (IXGK)

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXGK35N120BD1
Datenblatt:

IXGK35N120BD1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

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IXGK35N120BD1 Allgemeine Beschreibung

IGBT 1200 V 70 A 350 W Through Hole TO-264 (IXGK)

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	IXGK35N120	Continuous Collector Current Ic Max	70 A
Height	26.16 mm	Length	19.96 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	25
Subcategory	IGBTs	Width	5.13 mm
Unit Weight	0.352740 oz

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