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Siehe Technische Spezifikationen

IXGK60N60B2D1 +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A Collector Current, 600V Breakdown Voltage, N-Channel, TO-264AA Package, 3 Pins

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXGK60N60B2D1
Datenblatt:

IXGK60N60B2D1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXGK60N60B2D1

IXGK60N60B2D1 Allgemeine Beschreibung

IGBT PT 600 V 75 A 500 W Through Hole TO-264 (IXGK)

Hauptmerkmale

Square RBSOA
High current handling capability
MOS Gate turn-on for drive simplicity
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) with soft recovery and low IRM

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	IXGK60N60
Continuous Collector Current	75 A	Continuous Collector Current Ic Max	75 A
Height	26.16 mm	Length	19.96 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	25
Subcategory	IGBTs	Width	5.13 mm
Unit Weight	0.352740 oz

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