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IGBT Transistors 4 Amps 1000V 3.5 Rds
TO-220-3Hersteller:
Herstellerteil #:
IXGP2N100A
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
1 kV
EDA/CAD Modelle:
Senden Sie alle Stücklisten an
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IGBT 1000 V 4 A 25 W Through Hole TO-220-3
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1 kV | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | IXGP2N100 | Continuous Collector Current Ic Max | 4 A |
Height | 9.15 mm | Length | 10.66 mm |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 50 |
Subcategory | IGBTs | Width | 4.83 mm |
Unit Weight | 0.081130 oz |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
N0795YN180
IXYS
1008+ $64,028
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IXYS Corporation
The Dual Thyristor Modules Portfolio offers various packages and breakdown voltages up to 2200V.
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