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Siehe Technische Spezifikationen

IXYF30N450 +BOM

IGBT 4500 V 23 A 230 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

Hersteller:

Littelfuse Inc
Herstellerteil #:

IXYF30N450
Datenblatt:

IXYF30N450 Datenblatt (PDF)
Series:

XPT™
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

4500 V
Current - Collector (Ic) (Max):

23 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

190 A

IXYF30N450 Allgemeine Beschreibung

IGBT 4500 V 23 A 230 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	XPT™
IGBT Type	-	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	4500 V
Current - Collector (Ic) (Max)	23 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	190 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 30A	Power - Max	230 W
Switching Energy	-	Input Type	Standard
Gate Charge	88 nC	Td (on/off) @ 25°C	38ns/168ns
Test Condition	960V, 30A, 15Ohm, 15V	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	IXYF30
Product Category:	IGBT Transistors	Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole	Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	4.5 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage:	3.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C:	23 A
Pd - Power Dissipation:	230 W	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Series:	High Voltage
Packaging:	Tube	Product Type:	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity:	25	Subcategory:	IGBTs
Tradename:	XPT	Unit Weight:	0.229281 oz

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