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Siehe Technische Spezifikationen

IXYH120N65B3 +BOM

IGBT Transistors IGBT XPT-GENX3

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXYH120N65B3
Datenblatt:

IXYH120N65B3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

650 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXYH120N65B3

IXYH120N65B3 Allgemeine Beschreibung

IGBT PT 650 V 340 A 1360 W Through Hole TO-247 (IXYH)

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.55 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	340 A
Pd - Power Dissipation	1.36 kW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Continuous Collector Current Ic Max	760 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	IGBTs

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