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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IXYN110N120C4 +BOM

Advanced power device for industrial and automotive us

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXYN110N120C4
Datenblatt:

IXYN110N120C4 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Screw Mounts
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXYN110N120C4

IXYN110N120C4 Allgemeine Beschreibung

The versatility of the IXYN110N120C4 is further enhanced by its wide range of breakdown voltages, from 650V to 1200V, making it ideal for a variety of snubber-less hard-switching applications. Its positive collector-to-emitter voltage temperature coefficient allows for easy integration of multiple devices in parallel to meet high current requirements. Additionally, the low gate charges of this IGBT help to minimize gate drive requirements and reduce switching losses, resulting in improved overall performance and reliability

Hauptmerkmale

Excellent thermal resistance and low noise
High power density and compact design
Precise temperature control and overcurrent protection

Anwendung

Superior electrical performance
Sleek and modern design
Enhanced power output

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Screw Mounts	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	220 A
Pd - Power Dissipation	830 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	1200V XPTTM Gen 6
Continuous Collector Current Ic Max	220 A	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	10	Subcategory	IGBTs
Tradename	XPT

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