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IGBT PT 650 V 190 A 830 W Chassis Mount SOT-227B
SOT-227BHersteller:
Herstellerteil #:
IXYN120N65C3D1
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
Screw Mounts
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
650 V
EDA/CAD Modelle:
Senden Sie alle Stücklisten an
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IGBT PT 650 V 190 A 830 W Chassis Mount SOT-227B
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Screw Mounts | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 650 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.3 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 190 A |
Pd - Power Dissipation | 830 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Continuous Collector Current Ic Max | 620 A |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | IGBTs |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
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