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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IXYN140N120A4 +BOM

Compact and efficient power electronics solution for industrial and automotive industrie

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXYN140N120A4
Datenblatt:

IXYN140N120A4 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Screw Mounts
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXYN140N120A4

IXYN140N120A4 Allgemeine Beschreibung

Thanks to its reduced thermal resistance, low losses, high current densities, and low gate charge requirement, the IXYN140N120A4 is capable of delivering optimal efficiency and reliability under high-stress operating conditions. This makes it a compelling choice for demanding industrial and automotive applications where performance and longevity are crucial factors

Hauptmerkmale

Fast switching times and low current consumption
Low electromagnetic interference
Compact and reliable construction
Excellent thermal management

Anwendung

Excellent thermal stability
Easy integration
High switching frequency

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Screw Mounts	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	380 A
Pd - Power Dissipation	1.07 kW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	Trench
Continuous Collector Current Ic Max	380 A	Gate-Emitter Leakage Current	200 nA
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	IGBTs

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