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Siehe Technische Spezifikationen

IXYP10N65C3 +BOM

IGBT PT 650 V 30 A 160 W Through Hole TO-220-3

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXYP10N65C3
Datenblatt:

IXYP10N65C3 Datenblatt (PDF)
Series:

GenX3™, XPT™
IGBT Type:

PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

650 V
Current - Collector (Ic) (Max):

30 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXYP10N65C3

IXYP10N65C3 Allgemeine Beschreibung

IGBT PT 650 V 30 A 160 W Through Hole TO-220-3

Spezifikationen

Series	GenX3™, XPT™	IGBT Type	PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650 V	Current - Collector (Ic) (Max)	30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)	54 A	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 10A
Power - Max	160 W	Switching Energy	240µJ (on), 110µJ (off)
Input Type	Standard	Gate Charge	18 nC
Td (on/off) @ 25°C	20ns/77ns	Test Condition	400V, 10A, 50Ohm, 15V
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IXYP10

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