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IXYP20N65B3D1 +BOM
IGBT PT 650 V 58 A 230 W Through Hole TO-220
TO-220-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
IXYP20N65B3D1
-
Datenblatt:
-
Technology:
Si
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
650 V
-
EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 6838 Stck
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IXYP20N65B3D1 Allgemeine Beschreibung
IGBT PT 650 V 58 A 230 W Through Hole TO-220
Spezifikationen
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 650 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.77 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 58 A |
Pd - Power Dissipation | 230 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Continuous Collector Current Ic Max | 108 A |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 50 | Subcategory | IGBTs |
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In Stock: 6.838
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