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IGBT PT 1200 V 375 A 1360 W Through Hole TO-247 (IXTH)
PLUS-247-3Hersteller:
Herstellerteil #:
IXYX110N120A4
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
1.2 kV
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With its exceptional features and performance, the IXYX110N120A4 stands out as a formidable solution for modern power electronics applications. Its combination of XPT™ thin-wafer technology and the 4th generation (GenX4™) Trench IGBT process sets a new benchmark for power semiconductor devices. Engineers and designers can confidently integrate this device into their systems, knowing that it offers unmatched efficiency, reliability, and performance. Whether used in motor drives, industrial equipment, or renewable energy systems, the IXYX110N120A4 is poised to make a significant impact in the field of power electronics
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 375 A |
Pd - Power Dissipation | 1.36 kW | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Series | Trench |
Continuous Collector Current Ic Max | 900 A | Gate-Emitter Leakage Current | 25 uA |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 30 |
Subcategory | IGBTs | Tradename | XPT |
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
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