Bezahlverfahren
IXYX120N120B3 +BOM
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
PLUS247-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
IXYX120N120B3
-
Datenblatt:
-
Technology:
Si
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
1.2 kV
All bill of materials (BOM) can be sent via email to [email protected], or fill below form to Quote for IXYX120N120B3, guaranteed quotes back within 12hr.
Verfügbarkeit: 3030 Stck
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IXYX120N120B3 Allgemeine Beschreibung
IGBT 1200 V 320 A 1500 W Through Hole PLUS247™-3
Spezifikationen
Product Category: | IGBT Transistors | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Configuration: | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V |
Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C: | 320 A |
Pd - Power Dissipation: | 1.5 kW | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 175 C | Packaging: | Tube |
Continuous Collector Current Ic Max: | 800 A | Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
Product Type: | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity: | 30 |
Subcategory: | IGBTs |
Servicerichtlinien und andere
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In Stock: 3.030
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $75,710 | $75,71 |
210+ | $30,210 | $6.344,10 |
510+ | $29,200 | $14.892,00 |
990+ | $28,700 | $28.413,00 |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
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