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Siehe Technische Spezifikationen

IXYX140N120A4 +BOM

IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXYX140N120A4
Datenblatt:

IXYX140N120A4 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV

IXYX140N120A4 Allgemeine Beschreibung

Utilizing XPT™ thin-wafer technology and 4th generation (GenX4™) Trench IGBT process, these up to 1200V devices helps to reduced gate driver requirements and conduction losses. It features reduced thermal resistance, low losses, high current densities and low gate charge requirement. A positive collector-to-emitter voltage temperature coefficient enables designers to use multiple devices in parallel.

Hauptmerkmale

Low on-state voltages Vcesat
Positive thermal coefficient of Vcesat
International standard packages

Anwendung

Battery chargers
Lamp ballasts
Power inverters
Uninterruptible power supplies (UPS)
Welding machines
Advantages:
Ideal for high power density and high inrush currents, low loss applications
Hard-switching capable
Easy paralleling of devices
Reduced gate driver requirements
Ease of replacement and availability of isolation package

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	480 A
Pd - Power Dissipation	1.5 kW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	Trench
Continuous Collector Current Ic Max	480 A	Gate-Emitter Leakage Current	200 nA
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	IGBTs

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