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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

JANSR2N2907AUB +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 500 mW Surface Mount UB

Hersteller:

Microchip Technology
Herstellerteil #:

JANSR2N2907AUB
Datenblatt:

JANSR2N2907AUB Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1.6V @ 50mA, 500mA
EDA/CAD Modelle:

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JANSR2N2907AUB Allgemeine Beschreibung

The JANSR2N2907AUB is a top-of-the-line bipolar PNP transistor specifically crafted for high-reliability and aerospace applications. Encased in a sturdy TO-18 package with pure tin lead finish, this transistor boasts a maximum collector-emitter voltage of 60V and a maximum collector-base voltage of 60V. With a maximum emitter-base voltage of 5V and a robust collector current limit of 600mA, this transistor is truly a powerhouse in the world of electronics

Spezifikationen

Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 10V
Power - Max	500 mW	Operating Temperature	-65°C ~ 200°C (TJ)
Grade	Military	Qualification	MIL-PRF-19500/291
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	2N2907

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