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Siehe Technische Spezifikationen

JANSR2N7389 +BOM

Radiation resistant TO-39 power MOSFET

Hersteller:

Microsemi Corporation
Herstellerteil #:

JANSR2N7389
Datenblatt:

JANSR2N7389 Datenblatt (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

6.5A (Tc)

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

JANSR2N7389 Allgemeine Beschreibung

Rad hard, -100V, -6.5A, single, P-channel MOSFET, R4 in a TO-205AF package - TO-205AF, 100 krad(Si) TID, QPLFeaturesPotential Applications

Hauptmerkmale

Single Event Effect (SEE) Hardened
Low RDS(on)
Low Total Gate Charge
Proton Tolerant
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Ceramic Package
Light Weight

Spezifikationen

FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	12V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 6.5A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 12 V
Vgs (Max)	±20V	Power Dissipation (Max)	25W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C	Grade	Military
Qualification	MIL-PRF-19500/630	Mounting Type	Through Hole

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