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Siehe Technische Spezifikationen

JANTX2N6798 +BOM

With a voltage rating of 200V, this single N-channel MOSFET guarantees reliable performance in high-reliability applications

Hersteller:

Microsemi Corporation
Herstellerteil #:

JANTX2N6798
Datenblatt:

JANTX2N6798 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

5.5A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

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JANTX2N6798 Allgemeine Beschreibung

Whether used in industrial equipment, automotive systems, or telecommunications devices, this power transistor provides consistent and robust operation. Its single-element design simplifies circuit layout and enhances overall system reliability. Trust the JANTX2N6798 for your power management needs, and experience efficient power delivery with minimal losses

Hauptmerkmale

Low RDS(on)

Ease of Paralleling

Qualified to MIL-PRF-19500/557

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	420mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42.07 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	800mW (Ta), 25W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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