Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

JANTXV2N6796 +BOM

25W Power Amplifier

Hersteller:

Microsemi Corporation
Herstellerteil #:

JANTXV2N6796
Datenblatt:

JANTXV2N6796 Datenblatt (PDF)
Series:

Military, MIL-PRF-19500/557
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

JANTXV2N6796 Allgemeine Beschreibung

100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A JANTXV2N6796 with Hermetic PackagingBenefits

Hauptmerkmale

JEDEC registered 2N6796, 2N6798, 2N6800 and 2N6802 number series.
JAN, JANTX, and JANTXV qualifications are available per MIL-PRF-19500/557.
JANS qualification is available on 2N6798 only.
(See part nomenclature for all available options.)
RoHS compliant versions available (commercial grade only).

Spezifikationen

Series	Military, MIL-PRF-19500/557	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195mOhm @ 8A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28.51 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Power Dissipation (Max)	800mW (Ta), 25W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..