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Siehe Technische Spezifikationen

KSD1616YTA +BOM

Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TO-92 Ammo

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

KSD1616YTA
Datenblatt:

KSD1616YTA Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

300mV @ 50mA, 1A
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KSD1616YTA Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1 A 160MHz 750 mW Through Hole TO-92-3

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	1 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 50mA, 1A	Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	135 @ 100mA, 2V	Power - Max	750 mW
Frequency - Transition	160MHz	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	KSD1616

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