Bezahlverfahren
KSD471A-G-AP +BOM
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 1 A 130MHz 800 mW Through Hole TO-92
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)FormedLeads-
Hersteller:
Micro Commercial Co
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Herstellerteil #:
KSD471A-G-AP
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Datenblatt:
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Transistor Type:
NPN
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Current - Collector (Ic) (Max):
1 A
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
30 V
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
500mV @ 100mA, 1A
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EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 6694 Stck
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KSD471A-G-AP Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 1 A 130MHz 800 mW Through Hole TO-92
Spezifikationen
Series | - | Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A | Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 1V | Power - Max | 800 mW |
Frequency - Transition | 130MHz | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | KSD471 |
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In Stock: 6.694
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