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Siehe Technische Spezifikationen

KSD5041 +BOM

Bipolar Transistors - BJT NPN/20V/5A/180-600 TO-92

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

KSD5041
Datenblatt:

KSD5041 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

20 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an KSD5041

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High Performance at Low Supply VoltageAf Output Amplifier for Electronic Flash Unit

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	20 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Maximum DC Collector Current	5 A
Pd - Power Dissipation	750 mW	Gain Bandwidth Product fT	150 MHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	KSD504	Continuous Collector Current	5 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	180	DC Current Gain hFE Max	600
Height	4.58 mm	Length	4.58 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	3.86 mm	Unit Weight	0.008466 oz

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