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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

KSD526Y +BOM

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

KSD526Y
Datenblatt:

KSD526Y Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

80 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an KSD526Y

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

Low power consumption of 3mW
Compact package size of 5mm x 10mm
Suitable for portable device applications

Anwendung

The product is versatile and reliable.
Perfect for a variety of uses.
An essential tool for any task.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	450 mV
Maximum DC Collector Current	4 A	Pd - Power Dissipation	30 W
Gain Bandwidth Product fT	8 MHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	KSD526
Continuous Collector Current	4 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	40
DC Current Gain hFE Max	240	Height	9.4 mm
Length	10.1 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	200	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.7 mm
Unit Weight	0.063493 oz

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