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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

KSD880YTU +BOM

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Hersteller:

ONSEMI
Herstellerteil #:

KSD880YTU
Datenblatt:

KSD880YTU Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an KSD880YTU

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KSD880YTU Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 30 W Through Hole TO-220-3

Hauptmerkmale

Comprehensive Software Solution
Sophisticated Data Analysis Tools
Advanced Algorithm Development
Fully Integrated System Design

Anwendung

Works well in various settings
Dependable for any task
Adaptable to any situation

Spezifikationen

Source Content uid	KSD880YTU	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	13 Weeks
Collector Current-Max (IC)	3 A	Collector-Emitter Voltage-Max	60 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	100
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	30 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	3 MHz
Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)	100µA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 500mA, 5V
Power - Max	30 W	Frequency - Transition	3MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	KSD880

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